台積電2奈米（N2）將在2025下半年如期量產，2026年下半年跨入 埃米製程時代，原子層沉積（ALD）技術成為延續摩爾定律的關鍵推 手。ALD閥業者Swagelok認為，AI帶動高效能晶片需求，ALD站點（製 程機台配置）可望翻倍成長，法人看好天虹、京鼎、宇川等台灣在地 化供應業者。

　　台積電處長陳健博士表示，能源效率運算是AI成長的核心，需要器 件架構創新、微影技術進步、新材料應用、設計技術協同改善（DTC O）及系統技術協同改善（STCO）等多重技術突破。

　　ALD是控制原子層次的沉積技術，能將材料一層層精準堆疊。相較 傳統CVD（化學氣相沉積）與 PVD（物理氣相沉積），ALD的特性就像 「千層派」，能在晶圓表面均勻堆疊薄膜。Swagelok工程管理部門產 品設計總監Joao Borges預期，ALD在製程比重將由目前5～10％翻倍 提升。

　　Swagelok專精於ALD控制閥，最新的精準微量控制（Dose Control ）技術，導入感測器與電腦運算，結合預測時間校正演算法與氣動系 統改善，達到多閥門開關的精準控制。

　　天虹已有ALD設備交付實績，應用於光學領域。供應鏈透露，天虹 正與晶圓代工大廠合作2奈米以下製程，未來 TSV、晶背供電結構都 將大量導入ALD；尤其在CoWoS-L架構中，被動元件無法耐高溫，必須 透過低溫ALD工法完成襯墊（liner）沉積。

　　天虹已有ALD設備交付實績，應用於光學領域。供應鏈透露，天虹 正在與晶圓代工大廠合作2奈米以下製程，未來TSV、晶背供電結構， 都將大量導入ALD應用；尤其在CoWoS-L架構中，被動元件無法耐高溫 ，必須透過低溫ALD工法完成襯墊（liner）沉積。

　　ALD前驅物公司宇川指出，金屬前驅物決定沉積材料種類，並需要 開發特殊的化學品來實現原子結構的堆疊；如同「穿了衣服的原子」 ，這些「衣服」在化學品之間不能反應，但在材料表面能與氧化物等 反應，以實現精確的單層沉積。